FQP8N60C 仙童 8A 600V N沟道场效应晶体管

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FQP8N60C

产品型号	FQP8N60C
品牌	仙童
封装	TO-220
价格	电询
描述	8A 600V N沟道场效应晶体管
查看资料	FQP8N60C
购买FQP8N60C

产品说明

FQP8N60C/FQPF8N60C

600伏N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管

概述

这些N沟道增强模式功率场效应

晶体管是用费尔奇迪的专利技术生产的，

平面条纹，DMOS技术。

这项先进的技术是专门为

最小化导通电阻，提供出色的开关性能

性能，并能承受中的高能量脉冲

雪崩和换向模式。这些设备都很好

适用于高效率开关电源，

有源功率因数校正、电子灯镇流器

基于半桥拓扑。

特征

7.5A，600伏，无线电数据系统(开)= 1.2ω@ VGS = 10伏

低栅极电荷(典型值28 nC)

低Crss(典型值12 pF)

快速切换

100%雪崩测试

提高dv/dt能力

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产品型号	厂商	封装	简要描述	图片	资料	订购
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元件索引: A - B - C - D - E - F - G - H - I - J - K - L - M - N - O - P - Q - R - S - T - U - V - W - X - Y - Z

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