FQP3N80C 仙童 3A 800V N沟道场效应晶体管

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FQP3N80C

产品型号	FQP3N80C
品牌	仙童
封装	TO-220
价格	电询
描述	3A 800V N沟道场效应晶体管
查看资料	FQP3N80C
购买FQP3N80C

产品说明

FQP3N 80C/FPF3N 80C

800伏N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管

概述

这些N沟道增强模式功率场效应

晶体管是使用飞兆专有的，

平面条纹，DMOS技术。

这项先进的技术是专门为

最小化导通电阻，提供出色的开关性能

性能，并能承受中的高能量脉冲

雪崩和换向模式。这些设备都很好

适合高效率开关电源。

特征

3.0A，800伏，无线电数据系统(开)= 4.8ω@ VGS = 10伏

低栅极电荷(典型值13 nC)

低Crss(典型值5.5 pF)

快速切换

100%雪崩测试

提高dv/dt能力

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产品型号	厂商	封装	简要描述	图片	资料	订购
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