FDP 8n 50NZ/FDP 8n 50NZ

500 V，8 A，850 m

特征

RDS(开)= 770 m(典型值)。)@ VGS = 10伏，内径= 4安

低栅极电荷(典型值)。14 nC)

低Crss(典型值)。5 pF)

100%雪崩测试

提高dv/dt能力

静电放电能力提高

符合RoHS标准

应用程序

液晶/发光二极管电视

照明

不间断电源

交流DC电源

描述

场效应晶体管是飞兆半导体的高端产品

基于高级平面条纹和

DMOS科技。这种先进的场效应晶体管系列具有

平面金属氧化物半导体场效应晶体管中最小的导通电阻

还提供卓越的开关性能和更高的

雪崩能量强度。此外，内部栅源静电放电

二极管允许单结二级金属氧化物半导体场效应晶体管承受超过2kV的击穿电压

浪涌压力。该器件系列适用于开关电源

功率因数校正等转换器应用，平坦

平板显示电视电源、ATX和电子镇流器