FDP8870_F085

n沟道功率沟槽场效应晶体管

30V，156A，4.1m

概述

这种N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管专门设计用于

使用提高DC/DC转换器的整体效率

同步或传统开关脉宽调制

控制器。它针对低栅极电荷、低

rDS(开)和快速开关速度。

应用程序

DC/DC转换器

特征

rDS(开)= 4.1m，VGS = 10V，内径= 35A

rDS(开)= 4.6m，VGS = 4.5V，内径= 35A

用于极低成本的高性能沟槽技术

无线电数据系统(开)

低栅极电荷

高功率和电流处理能力