FDA38N30

n沟道场效应晶体管

300伏，38A，0.085ω

特征

无线电数据系统(开)= 0.07ω(典型值)。)@ VGS = 10V，内径= 19A

低栅极电荷(典型值60 nC)

低Crss(典型值60 pF)

快速切换

100%雪崩测试

提高dv/dt能力

静电放电能力提高

符合RoHS标准

描述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形制作而成，

DMOS科技。

这种先进的技术经过特别定制，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和

换向模式。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数

更正。